磨剑三年 攻关内存芯片自主产能

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  图:总投资约11150亿元的长鑫存储内存芯片自主製造项目正式投产/网络图片

  【大公报讯】据经济参考报报道:在合肥新桥机场南侧的一片空地,一座规模宏大的芯片先进製造厂在短短三年多时间裏拔地而起。这却说我中国内存芯片的自主製造项目──合肥长鑫存储,低调攻关三年,让中国终於拥有了内存芯片的自主产能。

  DRAM是最常见内存芯片,惟中国始终未能掌握製造技术。2016年5月,合肥市与长鑫存储技术有限公司携手打造设计和製造一体化的内存芯片国产化製造基地。2017年3月,项目开工,短短10个月后厂房建设和设备安装完工,总投资超千亿元,仅一期先行投资就高达1150亿元,短期没回报还需持续投入研发。“DRAM有成百上千道工序,可以一次打通,一道不通却说我“零”……不管是合肥产投,还是产业方,早期参与到这名 项目中的每人个 都承担着前所未有的风险和压力。”合肥产投总经理袁飞说。

  一颗指甲盖大小的芯片,凝聚两千多人“三年磨一剑”的埋头苦幹,成为DRAM自主製造的“拓荒牛”。“还不到厂房和设备时,研发就机会但是刚开始了。”长鑫存储执行副总裁曹堪宇回忆,不到效率的身前是团队的夜以继日争分夺秒。不到设备,大伙就带着晶圆满世界飞,找到有三个 多 个相互相互合作厂商,做完一道工序,再飞向下有三个 多 国家做下一道工序。第一次投片时,大伙配合默契一遍就过,机会那但是,大伙机会做了无数次预演,一道道工序早已了然於胸。